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美光科技刚刚宣布一项重要的技术突破

2020-11-12 16:08:13 来源:

在11月9日星期一市场收盘后,存储芯片制造商美光科技公司(NASDAQ:MU)宣布了一项消息,该消息受到了大多数投资者的关注。鉴于不断发展的政治戏剧,积极的疫苗新闻以及从成长型股票到价值型股票的大规模轮换,美光最近发布的新闻稿和演讲被忽略并不令人惊讶。

然而,在当选总统拜登的话说,美的宣布很可能是一个“大F ---荷兰国际集团的交易” - 在存储行业至少。

176层NAND闪存

在新闻稿中,美光宣布已开始批量生产全球首批176层NAND闪存芯片。对于那些不熟悉NAND闪存技术的人,它已成为许多应用程序选择的非易失性存储介质。

非易失性存储即使关闭电源也会保留信息。传统硬盘技术在云数据中心的廉价大容量存储中仍然占有一席之地。然而,成本的降低使NAND在每位成本方面更接近于硬盘驱动器,并且在许多情况下具有更好的性能和弹性,更少的空间以及更好的总拥有成本。如今,数据中心服务器,智能手机,游戏机和笔记本电脑中都发现了NAND​​闪存。

随着数据革命的到来,NAND闪存的需求有望以每年30%的速度增长。然而,尽管终端需求无限增长,但许多NAND制造商近年来仍难以盈利。公司已经开始以3D垂直结构将NAND模块彼此堆叠,每一层都显着提高了存储容量。虽然对位的需求增加了,但NAND闪存生产商却供过于求,使NAND价格和利润暴跌。

但是,美光的创新技术可能使其在明年的竞争对手中脱颖而出。

领先竞争对手

在高资本密集度和降低成本的严峻行业中,美光的新型NAND闪存技术可以为它带来重要的领先优势,并为获得更好的利润铺平道路。总共有176层,比目前采用128层芯片的最接近竞争对手高出近40%。根据9月份的新闻报道,目前使用128层芯片的成本和市场份额的领先者三星表示,它将在2021年4月之前加速其自己的160层或176层芯片的开发。尽管仅占三星NAND市场份额的约三分之一,但仍是一拳。鉴于在批量生产中堆叠NAND层的困难,目前尚不清楚三星或五家主要NAND生产商中的任何一家是否能够在此时间内将176层技术推向市场。

美光如何做到

美光能够通过内部开发的独特方法来完成这一壮举。去年完成的一项举措涉及从浮栅到替代栅技术的转变。然后,美光将其与电荷陷阱技术以及将逻辑电路置于存储模块下方的技术相结合,从而减小了芯片尺寸。

最终结果是NAND芯片比Micron先前的96层浮栅NAND芯片小30%,更快33%,并且延迟降低35%。

竞争对手能赶上吗?

美光的替代门架构是美光NAND技术的专有功能,尽管尚不清楚是否可以由资金雄厚的竞争对手复制。目前的技术领先地位是否可持续,这是一个悬而未决的问题,但是如果美光继续保持其成本领先地位,它将能够以比其他产品更低的价格出售NAND闪存位,并且仍然可以盈利。由于NAND在某种程度上是一种商品,因此更有效地生产密度更高的芯片是在该领域取胜的关键。

被挫败的NAND部门还有其他积极的发展。竞争对手SK海力士只是同意购买英特尔的(NASDAQ:INTC)的NAND闪存单元,使大NAND中国选手之外,从六家公司减小到5。尽管仍然是一项具有竞争力的业务,但行业整合应该使它减少痛苦,并在艰难的两年后增加获得更好的行业利润的可能性。当您将行业整合与美光科技在新技术领域的领导地位相结合时,美光科技公司苦苦挣扎的NAND业务有可能在明年发生重大变化。大量存储的人工智能和5G应用开始出现时尤其如此。